1.- Un diode, és un component electrònic construit amb elements semiconductors tals com el Silici o el Germani, dopats de forma que existeix una zona de càrrega Positiva (ànode) i una altra Negativa (càtode). Quina de les següents situacions correspon a la polarització directa.
a) b) c) d)
2.- Dels circuits rectificadors amb diodes que coneixes, quin creus que aporta un millor aprofitament del secundari del transformador.
El rectificador d'ona complerta amb presa intermitja.
El rectificador de mitja ona.
El rectificador amb zener
El rectificador d'ona complerta amb pont de Graetz.
3.- Per el circuit següent, quina de les següents afirmacions és certa:
La tensió a RL quedarà estabilitzada a un valor constant de 5V.
El diode zener està polaritzat inversament.
La caiguda de tensió a RL és exactament de 12V.
El diode zener està polaritzat directament i per tant la caiguda de tensió a RL serà pràcticament zero.
4.- L'objectiu del filtrat a les fonts d'alimentació és:
Transformar la senyal present a la sortida de l'etapa de rectificació per tal que aquesta s'aproximi tant com sigui possible a un corrent continu.
Eliminar els possibles esporàdics parasitaris fruit d'interferències electromagnètiques.
Separar el senyal present a la sortida del rectificador del node de referència massa.
Totes les respostes anteriors són correctes.
5.- Respecte al circuit representat al esquema, digueu quina afimació és correcta:
El transistor es troba en TALL.
El transistor es troba en SATURACIÓ.
El transistor es troba en zona ACTIVA.
El transistor es destruirà per excés de circulació de corrent pel colector.
Problemes
1.- El secundari del transformador de l'esquema, té una tensió eficaç de 30V. al secundari. Digueu de quin tipus de rectificador es tracta, expliqueu-ne el funcionament, dibuixeu les gràfiques de tensió per el secundari, al diode i la càrrega i calculeu la tensió de pic a la càrrega, el corrent màxim que hi circula i la potència dissipada.
2.- Per a la següent etapa amb transistor configurat en emissor comú. Calculeu i dibuixeu la recta de càrrega del transistor així com el punt de treball.