Supongamos un único electrón en un cristal unidimensional. A partir de la representación de v y m* en función de k, discuta cómo varían estos parámetros en función de k, cuando se aplica un campo eléctrico externo. En particular, intente dar un significado físico a los valores negativos e infinitos de m*, así como lo que ocurre cuando el electrón alcanza el borde de la 1ra . zona de Brillouin.

Supongamos que a un electrón de la banda de conducción de GaAs se somete a un campo eléctrico de 104 Vcm-1, durante 1 ps. Asumiendo que no existen mecanismos de disipación de energía, calcule la energía adquirida por el electrón al final del pulso anterior.

Calcular el momento de un electrón de conducción de GaAs cuando la energía medida desde el mínimo es 0.5 e V. (Comparar con el caso de un electrón vacío). Siendo m*(GaAs) = 0.067 m.

Represente esquemáticamente las superficies de energía constante en el Silicio, correspondientes a la banda de conducción.

A un hueco pesado en Si, se le aplica un campo eléctrico de valor 104 Vcm-1 durante un intervalo de 1ps. Si el hueco parte del reposo y no sufre colisiones, ¿cuál es la distancia recorrida por el hueco? (Tómese m* = 0.5 m0).

Utilizando el modelo del pozo infinito, calcule el gap efectivo de una película de 100Å ge GaAs, rodeada por AlAs. Si hay una fluctuación de una monocapa en el espesor del pozo, ¿Cuánto variará el gap?

Demostrar que un gas de electrones libres bidimensional, la función densidad de estados no depende de la energía y viene dada por gs m/2h2. Comparar con el gas en el volumen donde g(E)= (gs/21/22) (m/h2)3/2 E1/2, donde gs es la degeneración de spin.

Encuentre una expresión para la función densidad de estados para un gas de electrones libres. Discuta la dependencia de la densidad de estados con la energía en función de la dimensionalidad del sistema.

Calcular la densidad de estados para sistemas 3D y 2D, para E=0.1 eV.

Considere que la masa efectiva de un electrón es de 0.067 m0, a 77 y 300 K. La densidad electrónica en la muestra considerada es de 1017 cm3. Calcule el nivel de Fermi en este material, utilizando la estadística de Boltzmann y la aproximación de Joyce-Dixon para ambas temperaturas.

Una muestra de GaAs posee 1017 electrones por cm3. Considere un pozo cuántico de esta muestra de 100 A de ancho. Calcule la posición del nivel de Fermi para este pozo a una temperatura de 300 K.(m*=0.067 mo).

Encuentre la probabilidad de ocupación de un nivel a 0.045 eV por encima del borde de la banda de conducción, si el nivel de Fermi esta a 0.7 eV por encima de la banda de valencia y el gap a 300 K es igual a 1.1 eV.

Calcular el número de estados electrónicos en la banda de conducción y valencia del GaAs y el Si a 300 K.

Calcule la densidad efectiva de estados electrónicos en la banda de conducción y valencia del GaAs y el Si a 300 K.

Calcule la “posición” del nivel de Fermi intrínseco en el Silicio a 300 K.

Calcule la concentración de portadores intrínsecos en el InAs a 300 K y a 600 K.

Calcular los niveles de energía donores y aceptores en GaAs y en Si.

Considere una muestra de Silicio dopada con fósforo a una densidad de dopaje igual a 1016 cm3. Calcule la fracción de donores ionizados a 300 K. ¿Cuánto cambia esta fracción si la densidad de dopaje es de dos órdenes superior?.

Se dice que un semiconductor es degenerado tipo n cuando la probabilidad de los niveles electrónicos en el borde de la banda de conducción sean ocupados por electrones es cercana a la unidad. Similarmente podemos definir un semiconductor degenerado tipo p. Asuma un criterio tal que el nivel de Fermi tiene que estar - 3KBT en la banda antes que el material pueda ser considerado como degenerado. Cual será las densidades electrónicas en el Si y el GaAs antes de que estos semiconductores sean degenerados tipo n?.

Una muestra de GaAs/AlAgAs es modulada por dopaje. Esto se logró poniendo una densidad de donores de 2 X 1018 cm-3 en 100Å de AlGaAs. Asuma que todos los donores envían sus electrones a la región del GaAs. Si todos estos electrones van a la primera subbanda del pozo cuántico, calcule la posición del nivel de Fermi a 300K.

Estimar el valor de k correspondiente a la dispersión de un electrón en la banda de valencia a la banda de conducción (absorción de un fotón) en a) GaAs (Eg=1.5eV), b) una aleación HgCdTe (Eg=0.1eV), y c) un láser azul de CdSe (Eg=2.8eV). Comparar los valores obtenidos con las dimensiones tipicas de la zona de Brillouin.

Obtener la relación entre el coeficiente de difusión y la movilidad electrónica (relación de Einstein Dn= KBTn/q) en un semiconductor de tipo n

Determinar la concentración de electrones libres y huecos en una muestra de germanio a 300K, con una concentración de átomos donadores de 2·1014 cm-3 y una de aceptores de 3·1014 cm-3¿Es germanio tipo p o tipo n? Suponer todas las impurezas ionizadas. Datos: (Ge): ni=2.5·1013 cm-3.

La movilidad de electrones en GaAs puro a 300K es igual a 8500 cm2/V·s. Calcular el tiempo de relajación debido a la dispersión de impurezas ionizadas.

La movilidad de electrones en Silicio puro es de 1500 cm2/V·s . Calcular el tiempo entre eventos de dispersión utilizando la masa efectiva para la conductividad.

La movilidad de los electrones en un semiconductor decrece cuando el campo eléctrico aumenta. Esto se debe a que la rapidez de dispersión aumenta cuando los electrones se calientan debido al campo aplicado. Calcule el tiempo de relajación de los electrones en el Si a 1kV/cm y 100kV/cm, a 300K.

El campo eléctrico promedio en un dispositivo particular de 2.0 m de GaAs es igual a 5kV/cm. Calcule el tiempo de tránsito de un electrón a través del dispositivo: a) si se utiliza la movilidad a bajo campo cuyo valor es 8000 cm2/v·s; b) si se utiliza el valor de la velocidad de saturación, que es igual a 107 cm/s.

En un cristal de GaAs tipo n a 300K, la concentración varía como n(x)=1016·exp(-x/L) cm-3, para x>0, donde L es 1m. Calcular la densidad de corriente de difusión en x=0 si el coeficiente de difusión electrónica es 220 cm2/s

Considere el Teluro de Cadmio (CdTe), como un cristal iónico de composición: Cd+2-Te-2. A partir de un modelo unidimensional para esta estructura, con a=3.18Å, calcule la longitud de onda de la luz para un proceso de absorción de Reststrahlen.

El índice de refracción del GaAs, para =5600Å, es igual a 4.025. Las constantes dielectricas para bajas y altas frecuencias son iguales a 13.2 y 10.9, respectivamente, en este material. Calcule la constante de absorción (coeficiente de absorción) para el GaAs, para la longitud de onda dada.

La conductividad del óxido de Vanadio, V2O5, a 168K, aumenta de 10-6 a 5·103 (·cm)-1, debido a un cambio de estructura en la red. Si =10, calcule el índice de refracción para fotones incidentes con una energía de 1eV, por encima por debajo de 168K.

Se sabe que determinado material posee una constante dieléctrica de alta frecuencia igual a 12. ¿Cuál debe ser la constante de absorción paa que el mismo tenga un 50% de reflexión de una luz de longitud de onda igual a 1m? Si la absorción es debida a portadores libres, ¿cuál será la conductividad eléctrica?

Un semiconductor tiene =106 cm-1, desde 6000 hasta 9000Å. Si "=9, represente gráficamente la reflectividad contra la longitud de onda de este semiconductor.

Un espectrómetro utilizado para medir la resonancia del plasma de electrones libre de un semiconductor con masa efectiva igual a 0.1m0, está limitado al rango de 20 a 50 m. Estime las densidades de electrones libres que pueden ser medidas con este aparato.

Considere que se ha depositado un recubrimiento delgado antirreflectante sobre un sustrato no absorbente. ¿Qué relación debe existir entre los índices de refracción de ambos materiales para obtener R=0)

Calcule las energía mínimas de los fotones para transiciones directas e indirectas en procesos de absorción en un semiconductor degenerado que tiene un gap directo de 2 eV en k=0, me*=0.2m0, , mh*=0.5m0 y n=3·1019 cm-3.

Es espectro excitónico paa el Cu2O a bajas temperaturas tiene picos de absorción en: 5771Å (n=2), 5737 Å (n=3), 5725 Å (n=4), 5719 (n=5) ¿Cuál es la energía de ligazón de este excitón?

Utilizad la teoría de Bohr para calcular la energía de enlace de un excitón en GaAs. Tomese r=13

Calcular aproximadamente las energías de los fotones en los que se esperaría los saltos de absorción electromagnética en pozos cuánticos de GaAs de espesor 140 y 210Å. Tomese Eg=1.52eV. Datos: me=0.0665mo, mh=0.45 mo.

Debido a las leyes de conservación del momento, las transiciones ópticas en semiconductores son de tipo vertical, esto es ki"kf. ¿Qué error cometemos al efectuar dicha afirmación en el caso del GaAs (Eg=1.5eV)?